Частка нумар :
SI1078X-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
1.02A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
142 mOhm @ 1A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
3nC @ 4.5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
110pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
240mW (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
-
Пакет / футляр :
SOT-563, SOT-666