IXYS - IXTA110N055P

KEY Part #: K6417517

IXTA110N055P Цэнаўтварэнне (USD) [33519шт шт]

  • 1 pcs$1.35927
  • 50 pcs$1.35251

Частка нумар:
IXTA110N055P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 55V 110A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - Зэнер - Адзінокі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTA110N055P. IXTA110N055P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA110N055P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTA110N055P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
Серыя : PolarHT™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 55V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 110A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 76nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2210pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 390W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263 (IXTA)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў