Infineon Technologies - IPI80N04S2H4AKSA2

KEY Part #: K6402420

IPI80N04S2H4AKSA2 Цэнаўтварэнне (USD) [8789шт шт]

  • 500 pcs$0.66657

Частка нумар:
IPI80N04S2H4AKSA2
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPI80N04S2H4AKSA2. IPI80N04S2H4AKSA2 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80N04S2H4AKSA2 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPI80N04S2H4AKSA2
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 148nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 4400pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO262-3-1
Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў