Rohm Semiconductor - RCD051N20TL

KEY Part #: K6421286

RCD051N20TL Цэнаўтварэнне (USD) [421931шт шт]

  • 1 pcs$0.10572
  • 2,500 pcs$0.10520

Частка нумар:
RCD051N20TL
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя and Тырыстары - SCR ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RCD051N20TL. RCD051N20TL можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RCD051N20TL Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RCD051N20TL
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 760 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5.25V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 8.3nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 330pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 850mW (Ta), 20W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : CPT3
Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў