NXP USA Inc. - SI4410DY,518

KEY Part #: K6415235

[12480шт шт]


    Частка нумар:
    SI4410DY,518
    Вытворца:
    NXP USA Inc.
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 30V SOT96-1.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Модулі драйвераў харчавання, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах NXP USA Inc. SI4410DY,518. SI4410DY,518 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI4410DY,518 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SI4410DY,518
    Вытворца : NXP USA Inc.
    Апісанне : MOSFET N-CH 30V SOT96-1
    Серыя : TrenchMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : -
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13.5 mOhm @ 10A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 34nC @ 5V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SO
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN0540A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.

    • PMN23UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN23UN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 6.3A 6TSOP.

    • PMN34UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 4.9A 6TSOP.

    • PMN25EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 6.2A 6TSOP.

    • PMN27UN,135

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP.