Частка нумар :
APTM120DA68T1G
Вытворца :
Microsemi Corporation
Апісанне :
MOSFET N-CH 1200V 15A SP1
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
1200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
15A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
816 mOhm @ 12A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 2.5mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
260nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
6696pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
357W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
SP1