Vishay Siliconix - SIS892DN-T1-GE3

KEY Part #: K6419667

SIS892DN-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [123967шт шт]

  • 1 pcs$0.29837
  • 3,000 pcs$0.28017

Частка нумар:
SIS892DN-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - JFET, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIS892DN-T1-GE3. SIS892DN-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIS892DN-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIS892DN-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 30A 1212-8 PPAK
Серыя : TrenchFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 30A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 29 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 21.5nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 611pF @ 50V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 1212-8
Пакет / футляр : PowerPAK® 1212-8

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў