ON Semiconductor - FDG329N

KEY Part #: K6411260

[13852шт шт]


    Частка нумар:
    FDG329N
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDG329N. FDG329N можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDG329N Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDG329N
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET N-CH 20V 1.5A SC70-6
    Серыя : PowerTrench®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.5A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 1.5A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 4.6nC @ 4.5V
    Vgs (макс.) : ±12V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 324pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 420mW (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SC-88 (SC-70-6)
    Пакет / футляр : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN2120ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2120A

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 200V 0.18A TO92-3.

    • ZVN2106ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • ZVN2106ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • ZVN1409ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.