Diodes Incorporated - BSS138-7

KEY Part #: K6413879

[12947шт шт]


    Частка нумар:
    BSS138-7
    Вытворца:
    Diodes Incorporated
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Тырыстары - SCR, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы and Дыёды - выпрамнікі - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated BSS138-7. BSS138-7 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSS138-7 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : BSS138-7
    Вытворца : Diodes Incorporated
    Апісанне : MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
    Серыя : -
    Статус часткі : Discontinued at Digi-Key
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 50V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200mA (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.5 Ohm @ 220mA, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 50pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 300mW (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-23-3
    Пакет / футляр : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRFR3704ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 60A DPAK.

    • IRFR3706

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 75A DPAK.

    • IRLR9343PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 55V 20A DPAK.