Diodes Incorporated - ZVN3310ASTOB

KEY Part #: K6413884

[12946шт шт]


    Частка нумар:
    ZVN3310ASTOB
    Вытворца:
    Diodes Incorporated
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Транзістары - IGBT - масівы ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated ZVN3310ASTOB. ZVN3310ASTOB можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ZVN3310ASTOB Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : ZVN3310ASTOB
    Вытворца : Diodes Incorporated
    Апісанне : MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 200mA (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 Ohm @ 500mA, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2.4V @ 1mA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 40pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 625mW (Ta)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : E-Line (TO-92 compatible)
    Пакет / футляр : E-Line-3

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5803TR

      Infineon Technologies

      MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

    • IRF5802

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP.

    • ZVN4206AVSTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3.

    • ZVN3310ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

    • IRFR3704ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 60A DPAK.

    • IRFR3706

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 20V 75A DPAK.