Частка нумар :
TK17A80W,S4X
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET N-CH 800V 17A TO220SIS
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
800V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
17A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
290 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
4V @ 850µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
32nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
2050pF @ 300V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
45W (Tc)
Працоўная тэмпература :
150°C
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-220SIS
Пакет / футляр :
TO-220-3 Full Pack