Частка нумар :
SIHH180N60E-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH PPAK 8X8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
19A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
33nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1085pF @ 100V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
114W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® 8 x 8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN