Vishay Siliconix - SIHH180N60E-T1-GE3

KEY Part #: K6417592

SIHH180N60E-T1-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [35453шт шт]

  • 1 pcs$1.10286

Частка нумар:
SIHH180N60E-T1-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH PPAK 8X8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHH180N60E-T1-GE3. SIHH180N60E-T1-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHH180N60E-T1-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHH180N60E-T1-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH PPAK 8X8
Серыя : E
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 19A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 180 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1085pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 114W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PowerPAK® 8 x 8
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў