Rohm Semiconductor - RSS100N03FU6TB

KEY Part #: K6406710

RSS100N03FU6TB Цэнаўтварэнне (USD) [1225шт шт]

  • 2,500 pcs$0.24667

Частка нумар:
RSS100N03FU6TB
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - РФ and Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RSS100N03FU6TB. RSS100N03FU6TB можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RSS100N03FU6TB Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RSS100N03FU6TB
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 10A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 13 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 14nC @ 5V
Vgs (макс.) : 20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1070pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2W (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOP
Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TK40P04M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A.

  • TK40P03M1(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 30V 40A 3DP 2-7K1A.

  • IRLR8256PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

  • IRLR8259PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

  • NDF08N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

  • NDF05N50ZG

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 500V TO-220FP.