Global Power Technologies Group - GP1M003A040CG

KEY Part #: K6402715

[2608шт шт]


    Частка нумар:
    GP1M003A040CG
    Вытворца:
    Global Power Technologies Group
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 400V 2A DPAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - TRIAC and Транзістары - IGBT - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Global Power Technologies Group GP1M003A040CG. GP1M003A040CG можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    GP1M003A040CG Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : GP1M003A040CG
    Вытворца : Global Power Technologies Group
    Апісанне : MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 400V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.4 Ohm @ 1A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 3.7nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±30V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 210pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 30W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : D-Pak
    Пакет / футляр : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • BS170PSTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.27A TO92-3.

    • DN2540N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 400V 0.12A TO92-3.

    • GP1M008A050CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 500V 8A DPAK.

    • GP1M007A065CG

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK.

    • GP1M003A090C

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 900V 2.5A DPAK.

    • GP1M003A080CH

      Global Power Technologies Group

      MOSFET N-CH 800V 3A DPAK.