IXYS - IXTH98N20T

KEY Part #: K6416963

IXTH98N20T Цэнаўтварэнне (USD) [21534шт шт]

  • 1 pcs$2.21186
  • 30 pcs$2.20086

Частка нумар:
IXTH98N20T
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 98A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTH98N20T. IXTH98N20T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH98N20T Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTH98N20T
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 98A TO-247
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 98A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -
Rds On (Max) @ Id, Vgs : -
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : -
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : -
Працоўная тэмпература : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 (IXTH)
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • ZVN3306A

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.