ON Semiconductor - FDB4020P

KEY Part #: K6411266

[13850шт шт]


    Частка нумар:
    FDB4020P
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Тырыстары - SCR ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDB4020P. FDB4020P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB4020P Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : FDB4020P
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET P-CH 20V 16A TO-263AB
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : P-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 16A (Ta)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.5V, 4.5V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 8A, 4.5V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 13nC @ 4.5V
    Vgs (макс.) : ±8V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 665pF @ 10V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 37.5W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -65°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263AB
    Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • ZVN2106ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

    • ZVN1409ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

    • ZVN1409ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

    • ZVN1409ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 90V 0.01A TO92-3.

    • ZVN0545ASTOB

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

    • ZVN0540ASTZ

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 400V 0.09A TO92-3.