GeneSiC Semiconductor - GA05JT12-247

KEY Part #: K6412607

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - РФ, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы and Тырыстары - DIAC, SIDAC ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах GeneSiC Semiconductor GA05JT12-247. GA05JT12-247 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : GA05JT12-247

Вытворца : GeneSiC Semiconductor

Апісанне : TRANS SJT 1200V 5A

Серыя : -

Статус часткі : Obsolete

Тып FET : -

Тэхналогіі : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1200V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 5A (Tc)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 5A

Vgs (й) (Max) @ Id : -

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -

Vgs (макс.) : -

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : 106W (Tc)

Працоўная тэмпература : 175°C (TJ)

Тып мантажу : Through Hole

Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247AB

Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў