Vishay Semiconductor Diodes Division - UH5JT-E3/4W

KEY Part #: K6445575

UH5JT-E3/4W Цэнаўтварэнне (USD) [2060шт шт]

  • 1,000 pcs$0.20556

Частка нумар:
UH5JT-E3/4W
Вытворца:
Vishay Semiconductor Diodes Division
Падрабязнае апісанне:
DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - РФ and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Semiconductor Diodes Division UH5JT-E3/4W. UH5JT-E3/4W можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UH5JT-E3/4W Атрыбуты прадукту

Частка нумар : UH5JT-E3/4W
Вытворца : Vishay Semiconductor Diodes Division
Апісанне : DIODE GEN PURP 600V 8A TO220AC
Серыя : -
Статус часткі : Obsolete
Дыёдны тып : Standard
Напружанне - рэверс пастаяннага току (Vr) (макс.) : 600V
Ток - Сярэдняя выпраўленасць (Io) : 8A
Напруга - наперад (Vf) (макс.) @ Калі : 3V @ 5A
Хуткасць : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Рэверсны час аднаўлення (TRR) : 40ns
Ток - Зваротная ўцечка @ Vr : 5µA @ 600V
Ёмістасць @ Vr, F : -
Тып мантажу : Through Hole
Пакет / футляр : TO-220-2
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AC
Працоўная тэмпература - развязка : -55°C ~ 175°C

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode