Rohm Semiconductor - RW1E014SNT2R

KEY Part #: K6421676

RW1E014SNT2R Цэнаўтварэнне (USD) [1528127шт шт]

  • 1 pcs$0.02676
  • 8,000 pcs$0.02663

Частка нумар:
RW1E014SNT2R
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor RW1E014SNT2R. RW1E014SNT2R можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RW1E014SNT2R Атрыбуты прадукту

Частка нумар : RW1E014SNT2R
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 1.4A WEMT6
Серыя : -
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1.4A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 240 mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.4nC @ 5V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 70pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 700mW (Ta)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 6-WEMT
Пакет / футляр : SOT-563, SOT-666

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў