IXYS - IXFN80N50P

KEY Part #: K6400158

IXFN80N50P Цэнаўтварэнне (USD) [3860шт шт]

  • 1 pcs$11.78172
  • 10 pcs$10.89867
  • 25 pcs$10.01488
  • 100 pcs$9.30793
  • 250 pcs$8.54208
  • 500 pcs$7.73314

Частка нумар:
IXFN80N50P
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Тырыстары - SCR, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXFN80N50P. IXFN80N50P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN80N50P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXFN80N50P
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 500V 66A SOT-227
Серыя : PolarHV™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 66A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 65 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 195nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 12700pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 700W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Chassis Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SOT-227B
Пакет / футляр : SOT-227-4, miniBLOC

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • LP0701N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

  • TN0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

  • IRFIZ48GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 37A TO220FP.

  • IRLI630GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP.

  • PMG370XN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 30V 0.96A 6TSSOP.

  • PMN35EN,115

    NXP USA Inc.

    MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP.