ON Semiconductor - FDMC510P

KEY Part #: K6416923

FDMC510P Цэнаўтварэнне (USD) [144590шт шт]

  • 1 pcs$0.25709
  • 3,000 pcs$0.25581

Частка нумар:
FDMC510P
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - JFET, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDMC510P. FDMC510P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDMC510P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDMC510P
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 20V 18A 8-MLP
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 12A (Ta), 18A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 116nC @ 4.5V
Vgs (макс.) : ±8V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 7860pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.3W (Ta), 41W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-MLP (3.3x3.3)
Пакет / футляр : 8-PowerWDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FQN1N60CTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 300MA TO-92.

  • FDD8870

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 30V 160A D-PAK.

  • TK33S10N1Z,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 100V 33A DPAK.

  • IRFR4105TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 27A DPAK.

  • IRLR3636TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK.

  • IPA65R150CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 650V 22.4A TO220.