Infineon Technologies - BUZ30AH3045AATMA1

KEY Part #: K6418921

BUZ30AH3045AATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [82979шт шт]

  • 1 pcs$0.47121
  • 1,000 pcs$0.43233

Частка нумар:
BUZ30AH3045AATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 21A TO-263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - JFET, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - РФ, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BUZ30AH3045AATMA1. BUZ30AH3045AATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BUZ30AH3045AATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BUZ30AH3045AATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 21A TO-263
Серыя : SIPMOS®
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 21A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1900pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : D²PAK (TO-263AB)
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў