Частка нумар :
SI3805DV-T1-E3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CH 20V 3.3A 6-TSOP
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3.3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
2.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
84 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
12nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
330pF @ 10V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Isolated)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.1W (Ta), 1.4W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
6-TSOP
Пакет / футляр :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6