Texas Instruments - CSD17579Q3AT

KEY Part #: K6416076

CSD17579Q3AT Цэнаўтварэнне (USD) [231947шт шт]

  • 1 pcs$0.17092
  • 250 pcs$0.17006
  • 1,250 pcs$0.09524

Частка нумар:
CSD17579Q3AT
Вытворца:
Texas Instruments
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Texas Instruments CSD17579Q3AT. CSD17579Q3AT можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD17579Q3AT Атрыбуты прадукту

Частка нумар : CSD17579Q3AT
Вытворца : Texas Instruments
Апісанне : MOSFET N-CH 30V 35A 8VSON
Серыя : NexFET™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10.2 mOhm @ 8A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 1.9V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 998pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 3.2W (Ta), 29W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 8-VSONP (3x3.15)
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • VN10LP

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3.

  • IRLR2905TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IRLR2703TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 23A DPAK.

  • IRFR024NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR120NTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 9.4A DPAK.