IXYS - IXTA05N100HV

KEY Part #: K6395243

IXTA05N100HV Цэнаўтварэнне (USD) [27833шт шт]

  • 1 pcs$4.48633
  • 10 pcs$4.03593
  • 100 pcs$3.31825
  • 500 pcs$2.78016

Частка нумар:
IXTA05N100HV
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Зэнер - Масівы, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - JFET, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTA05N100HV. IXTA05N100HV можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTA05N100HV Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTA05N100HV
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CH 1KV 750MA TO263
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 1000V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 750mA (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 Ohm @ 375mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 7.8nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 260pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 40W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-263
Пакет / футляр : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў