IXYS - IXTH120P065T

KEY Part #: K6394915

IXTH120P065T Цэнаўтварэнне (USD) [19066шт шт]

  • 1 pcs$2.49827
  • 30 pcs$2.48584

Частка нумар:
IXTH120P065T
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 65V 120A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTH120P065T. IXTH120P065T можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTH120P065T Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTH120P065T
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET P-CH 65V 120A TO-247
Серыя : TrenchP™
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 65V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 120A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 185nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±15V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 13200pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 298W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 (IXTH)
Пакет / футляр : TO-247-3