Infineon Technologies - BSC018NE2LSATMA1

KEY Part #: K6420154

BSC018NE2LSATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [164965шт шт]

  • 1 pcs$0.22421
  • 5,000 pcs$0.21525

Частка нумар:
BSC018NE2LSATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - TRIAC, Транзістары - спецыяльнага прызначэння, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі and Транзістары - IGBT - Модулі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSC018NE2LSATMA1. BSC018NE2LSATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC018NE2LSATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BSC018NE2LSATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 25V 100A TDSON-8
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 25V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 29A (Ta), 100A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.8 mOhm @ 30A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 39nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2800pF @ 12V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TDSON-8
Пакет / футляр : 8-PowerTDFN

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TK15S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK.

  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.

  • TK6P53D(T6RSS-Q)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3.