Частка нумар :
SUD06N10-225L-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
6.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
200 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
4nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
240pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
1.25W (Ta), 16.7W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
TO-252AA
Пакет / футляр :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63