IXYS - IXTP8N70X2M

KEY Part #: K6395108

IXTP8N70X2M Цэнаўтварэнне (USD) [45618шт шт]

  • 1 pcs$1.23396
  • 10 pcs$1.05612
  • 100 pcs$0.84853
  • 500 pcs$0.65997
  • 1,000 pcs$0.54683

Частка нумар:
IXTP8N70X2M
Вытворца:
IXYS
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - Модулі, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах IXYS IXTP8N70X2M. IXTP8N70X2M можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTP8N70X2M Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IXTP8N70X2M
Вытворца : IXYS
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 700V 4A TO220
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 700V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 4A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 550 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 800pF @ 10V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 32W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220 Isolated Tab
Пакет / футляр : TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў