Частка нумар :
IPP80N06S4L05AKSA2
Вытворца :
Infineon Technologies
Апісанне :
MOSFET N-CH TO220-3
Серыя :
Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
8.5 mOhm @ 40A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2.2V @ 60µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
110nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
8180pF @ 25V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
107W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка :
PG-TO220-3-1
Пакет / футляр :
TO-220-3