Частка нумар :
TPCF8A01(TE85L)
Вытворца :
Toshiba Semiconductor and Storage
Апісанне :
MOSFET N-CH 20V 3A VS-8
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
20V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
2V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
49 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (й) (Max) @ Id :
1.2V @ 200µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
7.5nC @ 5V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
590pF @ 10V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Isolated)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
330mW (Ta)
Працоўная тэмпература :
150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
VS-8 (2.9x1.5)
Пакет / футляр :
8-SMD, Flat Lead