ON Semiconductor - FQH44N10-F133

KEY Part #: K6417914

FQH44N10-F133 Цэнаўтварэнне (USD) [45931шт шт]

  • 1 pcs$0.85130

Частка нумар:
FQH44N10-F133
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 100V 48A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Тырыстары - SCR, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - IGBT - масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FQH44N10-F133. FQH44N10-F133 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQH44N10-F133 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FQH44N10-F133
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 100V 48A TO-247
Серыя : QFET®
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 100V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 48A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 39 mOhm @ 24A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 62nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±25V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1800pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 180W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.