Diodes Incorporated - BS107P

KEY Part #: K6417939

BS107P Цэнаўтварэнне (USD) [128110шт шт]

  • 1 pcs$0.26103
  • 10 pcs$0.22860
  • 100 pcs$0.17620
  • 500 pcs$0.13052
  • 1,000 pcs$0.10442

Частка нумар:
BS107P
Вытворца:
Diodes Incorporated
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Дыёды - выпрамнікі - масівы and Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Diodes Incorporated BS107P. BS107P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BS107P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : BS107P
Вытворца : Diodes Incorporated
Апісанне : MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 200V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 120mA (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 2.6V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 30 Ohm @ 100mA, 5V
Vgs (й) (Max) @ Id : -
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : -
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : -
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 500mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-92-3
Пакет / футляр : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • BS107P

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3.

  • 2N7000TA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92.

  • IXTY2N100P

    IXYS

    MOSFET N-CH 1000V 2A TO-252.

  • IRFR4510TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N CH 100V 56A DPAK.

  • TK8A60W,S4VX

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N CH 600V 8A TO-220SIS.

  • SPA11N60CFDXKSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3.