Infineon Technologies - IPG20N04S412ATMA1

KEY Part #: K6525337

IPG20N04S412ATMA1 Цэнаўтварэнне (USD) [202548шт шт]

  • 1 pcs$0.18261
  • 5,000 pcs$0.16757

Частка нумар:
IPG20N04S412ATMA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - РФ, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR - Модулі and Транзістары - JFET ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPG20N04S412ATMA1. IPG20N04S412ATMA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N04S412ATMA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPG20N04S412ATMA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Серыя : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
Функцыя FET : Standard
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 12.2 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 15µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 18nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1470pF @ 25V
Магутнасць - Макс : 41W
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет / футляр : 8-PowerVDFN
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TDSON-8-4

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • FDY3000NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 20V 0.6A SC89.

  • SI6562CDQ-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N/P-CH 20V 6.7A 8-TSSOP.

  • IRF7530TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2N-CH 20V 5.4A MICRO8.

  • IRF7506TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET 2P-CH 30V 1.7A MICRO8.

  • SH8K4TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8.

  • SH8M24TB1

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N/P-CH 45V 4.5A/3.5A SOP8.