Частка нумар :
SI7994DP-T1-GE3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Тып FET :
2 N-Channel (Dual)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
5.6 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
80nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
3500pF @ 15V
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет / футляр :
PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerPAK® SO-8 Dual