Infineon Technologies - BSL308CL6327HTSA1

KEY Part #: K6523929

[4001шт шт]


    Частка нумар:
    BSL308CL6327HTSA1
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя and Дыёды - РФ ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies BSL308CL6327HTSA1. BSL308CL6327HTSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BSL308CL6327HTSA1 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : BSL308CL6327HTSA1
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N/P-CH 30V 2.3A/2A 6TSOP
    Серыя : OptiMOS™
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N and P-Channel
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.3A, 2A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 80 mOhm @ 2A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 2V @ 11µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 500nC @ 10V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 275pF @ 15V
    Магутнасць - Макс : 500mW
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TSOP-6-6

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў