ON Semiconductor - NDS9957

KEY Part #: K6524784

[4630шт шт]


    Частка нумар:
    NDS9957
    Вытворца:
    ON Semiconductor
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Дыёды - Зэнер - Адзінокі and Транзістары - JFET ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NDS9957. NDS9957 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NDS9957 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : NDS9957
    Вытворца : ON Semiconductor
    Апісанне : MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8-SOIC
    Серыя : -
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : 2 N-Channel (Dual)
    Функцыя FET : Logic Level Gate
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 2.6A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 160 mOhm @ 2.6A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 200pF @ 30V
    Магутнасць - Макс : 900mW
    Працоўная тэмпература : -
    Тып мантажу : Surface Mount
    Пакет / футляр : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
    Пакет прылад пастаўшчыка : 8-SOIC

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5852TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5850TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.2A 6-TSOP.

    • IRF5851TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP.

    • IRF5810TR

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6-TSOP.

    • IRF5852

      Infineon Technologies

      MOSFET 2N-CH 20V 2.7A 6-TSOP.

    • IRF5810

      Infineon Technologies

      MOSFET 2P-CH 20V 2.9A 6TSOP.