Infineon Technologies - SPI80N06S-08

KEY Part #: K6413408

[13110шт шт]


    Частка нумар:
    SPI80N06S-08
    Вытворца:
    Infineon Technologies
    Падрабязнае апісанне:
    MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK.
    Manufacturer's standard lead time:
    У наяўнасці
    Тэрмін прыдатнасці:
    Адзін год
    Фішка ад:
    Ганконг
    RoHS:
    Спосаб аплаты:
    Адгрузка спосабам:
    Катэгорыі сям'і:
    KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - спецыяльнага прызначэння and Транзістары - IGBT - Модулі ...
    Канкурэнтная перавага:
    Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies SPI80N06S-08. SPI80N06S-08 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SPI80N06S-08 Атрыбуты прадукту

    Частка нумар : SPI80N06S-08
    Вытворца : Infineon Technologies
    Апісанне : MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
    Серыя : SIPMOS®
    Статус часткі : Obsolete
    Тып FET : N-Channel
    Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
    Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 55V
    Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
    Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 mOhm @ 80A, 10V
    Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 240µA
    Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 187nC @ 10V
    Vgs (макс.) : ±20V
    Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 3660pF @ 25V
    Функцыя FET : -
    Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
    Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
    Тып мантажу : Through Hole
    Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO262-3-1
    Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

    Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
    • IRF5802TR

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

    • 2N7000RLRMG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 200MA TO-92.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • RFD8P05SM

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 50V 8A TO-252AA.

    • RFD3055LESM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 60V 11A TO-252AA.

    • RFD16N05LSM

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 50V 16A TO-252AA.