EPC - EPC2035

KEY Part #: K6415704

Катэгорыі сям'і:: KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Модулі драйвераў харчавання, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - Зэнер - Масівы, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап and Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя ...

Канкурэнтная перавага:: Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах EPC EPC2035. EPC2035 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com

Частка нумар : EPC2035

Вытворца : EPC

Апісанне : GANFET TRANS 60V 1A BUMPED DIE

Серыя : eGaN®

Статус часткі : Active

Тып FET : N-Channel

Тэхналогіі : GaNFET (Gallium Nitride)

Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V

Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 1A (Ta)

Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 45 mOhm @ 1A, 5V

Vgs (й) (Max) @ Id : 2.5V @ 800µA

Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 1.15nC @ 5V

Vgs (макс.) : +6V, -4V

Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 115pF @ 30V

Функцыя FET : -

Рассейванне магутнасці (макс.) : -

Працоўная тэмпература : -40°C ~ 150°C (TJ)

Тып мантажу : Surface Mount

Пакет прылад пастаўшчыка : Die

Пакет / футляр : Die

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў