Вытворца :
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Апісанне :
MOSFET N-CH DFN
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
68A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
4.1 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
710mV @ 1A
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
17.2nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1080pF @ 15V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
35.5W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
-