Частка нумар :
DMTH6009LPSQ-13
Вытворца :
Diodes Incorporated
Апісанне :
MOSFET BVDSS 41V-60V POWERDI506
Серыя :
Automotive, AEC-Q101
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
10 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
33.5nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
1925pF @ 30V
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2.8W (Ta), 136W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
PowerDI5060-8
Пакет / футляр :
8-PowerTDFN