Частка нумар :
SI4831BDY-T1-E3
Вытворца :
Vishay Siliconix
Апісанне :
MOSFET P-CH 30V 6.6A 8-SOIC
Тэхналогіі :
MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) :
30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C :
6.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs :
26nC @ 10V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds :
625pF @ 15V
Функцыя FET :
Schottky Diode (Isolated)
Рассейванне магутнасці (макс.) :
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Працоўная тэмпература :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу :
Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка :
8-SO
Пакет / футляр :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)