Vishay Siliconix - SIHU3N50DA-GE3

KEY Part #: K6393034

SIHU3N50DA-GE3 Цэнаўтварэнне (USD) [237821шт шт]

  • 1 pcs$0.15553

Частка нумар:
SIHU3N50DA-GE3
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - SCR - Модулі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - IGBT - масівы, Дыёды - Зэнер - Масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы and Транзістары - спецыяльнага прызначэння ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix SIHU3N50DA-GE3. SIHU3N50DA-GE3 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHU3N50DA-GE3 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : SIHU3N50DA-GE3
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CHANNEL 500V 3A IPAK
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 500V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±30V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 177pF @ 100V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 69W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : IPAK (TO-251)
Пакет / футляр : TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў