Vishay Siliconix - IRFBF30

KEY Part #: K6392807

IRFBF30 Цэнаўтварэнне (USD) [19083шт шт]

  • 1 pcs$2.17045
  • 1,000 pcs$2.15965

Частка нумар:
IRFBF30
Вытворца:
Vishay Siliconix
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - JFET, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Дыёды - Зэнер - Масівы, Модулі драйвераў харчавання and Дыёды - Мастовыя выпрамнікі ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Vishay Siliconix IRFBF30. IRFBF30 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFBF30 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IRFBF30
Вытворца : Vishay Siliconix
Апісанне : MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 900V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.6A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.7 Ohm @ 2.2A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 78nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1200pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 125W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-220AB
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў