Microsemi Corporation - APT38N60BC6

KEY Part #: K6397762

APT38N60BC6 Цэнаўтварэнне (USD) [11943шт шт]

  • 1 pcs$3.79443
  • 10 pcs$3.41542
  • 100 pcs$2.80832
  • 500 pcs$2.35291
  • 1,000 pcs$2.04931

Частка нумар:
APT38N60BC6
Вытворца:
Microsemi Corporation
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 38A TO-247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Дыёды - РФ, Транзістары - JFET, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Модулі драйвераў харчавання, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п and Дыёды - Зэнер - Масівы ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Microsemi Corporation APT38N60BC6. APT38N60BC6 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT38N60BC6 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : APT38N60BC6
Вытворца : Microsemi Corporation
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 38A TO-247
Серыя : CoolMOS™
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 38A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 99 mOhm @ 18A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3.5V @ 1.2mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 112nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 2826pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 278W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247 [B]
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0106N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

  • FDD86250-F085

    ON Semiconductor

    NMOS DPAK 150V 22 MOHM.

  • IRLR024NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRLR2908PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 80V 30A DPAK.

  • TK100A06N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 60V 100A TO-220.

  • TK10A80E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 800V TO220SIS.