Infineon Technologies - IPI80P04P4L06AKSA1

KEY Part #: K6401849

IPI80P04P4L06AKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [2908шт шт]

  • 500 pcs$0.41017

Частка нумар:
IPI80P04P4L06AKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH TO262-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - БНТ, MOSFET - Масівы, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Тырыстары - DIAC, SIDAC and Дыёды - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPI80P04P4L06AKSA1. IPI80P04P4L06AKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPI80P04P4L06AKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPI80P04P4L06AKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET P-CH TO262-3
Серыя : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Статус часткі : Obsolete
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 80A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 6.7 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 2.2V @ 150µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 104nC @ 10V
Vgs (макс.) : +5V, -16V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 6580pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 88W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO262-3-1
Пакет / футляр : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN5325N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 250V 0.215A TO92-3.

  • IRFI4228PBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 34A TO-220AB FP.

  • IRFI1010NPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 49A TO220FP.

  • SSM3J304T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 20V 2.3A TSM.

  • SSM3J306T(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET P-CH 30V 2.4A TSM.

  • PMN70XPEAX

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET P-CH 20V 3.2A 6TSOP.