Rohm Semiconductor - R6024ENZ1C9

KEY Part #: K6398329

R6024ENZ1C9 Цэнаўтварэнне (USD) [24228шт шт]

  • 1 pcs$1.87297
  • 10 pcs$1.67246
  • 100 pcs$1.37141
  • 500 pcs$1.05356
  • 1,000 pcs$0.88855

Частка нумар:
R6024ENZ1C9
Вытворца:
Rohm Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 600V 24A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - TRIAC, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя, Тырыстары - SCR, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Тырыстары - DIAC, SIDAC, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ and Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors) ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Rohm Semiconductor R6024ENZ1C9. R6024ENZ1C9 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

R6024ENZ1C9 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : R6024ENZ1C9
Вытворца : Rohm Semiconductor
Апісанне : MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 600V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 24A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 165 mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 70nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 1650pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 120W (Tc)
Працоўная тэмпература : 150°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : TO-247
Пакет / футляр : TO-247-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN3205N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 50V 1.2A TO92-3.

  • TN2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.22A TO92-3.

  • FDD8444L-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 40V 50A DPAK.

  • IRLR3705ZPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • IXTY44N10T

    IXYS

    MOSFET N-CH 100V 44A TO-252.

  • IRFIB5N65APBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220FP.