ON Semiconductor - NVGS4111PT1G

KEY Part #: K6393688

NVGS4111PT1G Цэнаўтварэнне (USD) [231964шт шт]

  • 1 pcs$0.15945
  • 3,000 pcs$0.10724

Частка нумар:
NVGS4111PT1G
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - біпалярныя (BJT) - масівы, загадзя п, Транзістары - IGBT - Модулі, Транзістары - IGBT - адзінкавыя, Дыёды - выпрамнікі - масівы, Дыёды - Зэнер - Адзінокі, Транзістары - JFET, Транзістары - IGBT - масівы and Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor NVGS4111PT1G. NVGS4111PT1G можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVGS4111PT1G Атрыбуты прадукту

Частка нумар : NVGS4111PT1G
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 30V 3.7A 6TSOP
Серыя : -
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 30V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3.7A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 60 mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 32nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 750pF @ 15V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 630mW (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : 6-TSOP
Пакет / футляр : SOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • TN0620N3-G-P014

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 200V 0.25A TO92-3.

  • FDD4243

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 6.7A DPAK.

  • FCD5N60-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK.

  • IXTY02N50D

    IXYS

    MOSFET N-CH 500V 0.2A DPAK.

  • FDD4141

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK.

  • FDD770N15A

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 150V 18A DPAK.