ON Semiconductor - FDC5614P

KEY Part #: K6394034

FDC5614P Цэнаўтварэнне (USD) [327926шт шт]

  • 1 pcs$0.11336
  • 3,000 pcs$0.11279

Частка нумар:
FDC5614P
Вытворца:
ON Semiconductor
Падрабязнае апісанне:
MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Транзістары - JFET, Транзістары - біпалярныя (BJT) - адзінкавыя, Транзістары - БНТ, МОФФЕТ - РФ, Транзістары - праграмуемыя супярэчнікі, Транзістары - IGBT - масівы, Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Модулі драйвераў харчавання and Транзістары - FET, MOSFET - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах ON Semiconductor FDC5614P. FDC5614P можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC5614P Атрыбуты прадукту

Частка нумар : FDC5614P
Вытворца : ON Semiconductor
Апісанне : MOSFET P-CH 60V 3A SSOT-6
Серыя : PowerTrench®
Статус часткі : Active
Тып FET : P-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 60V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 3A (Ta)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 105 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 24nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 759pF @ 30V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 1.6W (Ta)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 150°C (TJ)
Тып мантажу : Surface Mount
Пакет прылад пастаўшчыка : SuperSOT™-6
Пакет / футляр : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў