Infineon Technologies - IPP120N04S302AKSA1

KEY Part #: K6398702

IPP120N04S302AKSA1 Цэнаўтварэнне (USD) [23918шт шт]

  • 1 pcs$1.64381
  • 10 pcs$1.46621
  • 100 pcs$1.20227

Частка нумар:
IPP120N04S302AKSA1
Вытворца:
Infineon Technologies
Падрабязнае апісанне:
MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3.
Manufacturer's standard lead time:
У наяўнасці
Тэрмін прыдатнасці:
Адзін год
Фішка ад:
Ганконг
RoHS:
Спосаб аплаты:
Адгрузка спосабам:
Катэгорыі сям'і:
KEY Components, LTD з'яўляецца дыстрыбутарам электронных кампанентаў, які прапануе катэгорыі прадуктаў, уключаючы: Тырыстары - DIAC, SIDAC, Дыёды - выпрамнікі - адзіночныя, Дыёды - Мастовыя выпрамнікі, Транзістары - біпалярныя (BJT) - аднамесныя, з пап, Дыёды - пераменная ёмістасць (Varicaps, Varactors), Транзістары - біпалярныя (BJT) - РФ, Транзістары - IGBT - Модулі and Транзістары - IGBT - адзінкавыя ...
Канкурэнтная перавага:
Мы спецыялізуемся на электронных кампанентах Infineon Technologies IPP120N04S302AKSA1. IPP120N04S302AKSA1 можа быць адпраўлены на працягу 24 гадзін пасля замовы. Калі ў вас ёсць якія-небудзь патрабаванні да С2, адпраўце запыт на прапанову сюды альбо адпраўце нам ліст: rfq@key-components.com
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPP120N04S302AKSA1 Атрыбуты прадукту

Частка нумар : IPP120N04S302AKSA1
Вытворца : Infineon Technologies
Апісанне : MOSFET N-CH 40V 120A TO220-3
Серыя : OptiMOS™
Статус часткі : Not For New Designs
Тып FET : N-Channel
Тэхналогіі : MOSFET (Metal Oxide)
Зліў да крыніцы напругі (Vdss) : 40V
Ток - бесперапынны зліў (Id) пры 25 ° C : 120A (Tc)
Напруга прывада (уключаны макс. Rds, уключаецца мінімальная Rds) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.3 mOhm @ 80A, 10V
Vgs (й) (Max) @ Id : 4V @ 230µA
Зарад брамы (Qg) (макс.) @ Vgs : 210nC @ 10V
Vgs (макс.) : ±20V
Ёмістасць уводу (Ciss) (макс.) @ Vds : 14300pF @ 25V
Функцыя FET : -
Рассейванне магутнасці (макс.) : 300W (Tc)
Працоўная тэмпература : -55°C ~ 175°C (TJ)
Тып мантажу : Through Hole
Пакет прылад пастаўшчыка : PG-TO220-3-1
Пакет / футляр : TO-220-3

Вы таксама можаце быць зацікаўлены ў
  • VN0808L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 80V 300MA TO92-3.

  • TP2635N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3.

  • TP2640N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 400V 0.18A TO92-3.

  • VP0104N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 40V 0.25A TO92-3.

  • VP3203N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET P-CH 30V 650MA TO92-3.

  • IRFI520GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 100V 7.2A TO220FP.